CMOS与CCD的区别

CMOS相比CCD最主要的优势就是非常省电。CMOS 电路几乎没有静态电量消耗，只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右。目前CMOS主要问题是在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而过热，暗电流（见文后注释）抑制得好就问题不大，如果抑制得不好就容易出现杂点。
    CMOS与CCD的图像数据扫描方法有很大的差别。例如一台数码相机的分辨率为300万像素，那么CCD传感器是连续扫描300万个电荷，并且在最后一个电荷扫描完成之后才能将信号放大。而CMOS传感器的每个像素都有一个将电荷转化为电子信号的放大器。因此，CMOS传感器可以在每个像素基础上进行信号放大，采用这种方法可进行快速数据扫描。
    以传统观点来说，CCD比CMOS的信号采集能力更强、噪音更低，但技术要求很高（据说全世界只有6家公司掌握了CCD研制技术），成品率较低，因此成本较高（尤其是大尺寸CCD）；而CMOS胜在集成度高、生产工艺简单（传统集成电路的生产线稍加改造即可生产CMOS感光器，有很多厂商都能生产），因此成本低廉，但信号采集和噪音控制能力都比CCD更差，而且由于单个感光单元构造比CCD复杂、庞大，CMOS难以做到高象素密度，所以目前在小型DC上CMOS无法跟CCD竞争！当然，经过CANON、SONY等诸多厂家的技术改经，目前大尺寸CMOS的性能已经可以跟CCD相媲美了，加上成本优势，所以在DSLR上得到广泛应用！